【會議通知】2024年第三屆第三代半導體材料技術與市場研討會

第三代半導體材料是以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，有許多不可替代的優異性質，應用領域廣泛，是國家重大需求和國際高科技產業競爭的關鍵領域之一，正處于產業化的關鍵窗口期。

以碳化硅為襯底制成的功率器件相比硅基功率器件，具有耐高壓、耐高溫、能量損耗低、功率密度高等優勢，可實現功率模塊小型化、輕量化。主要應用于新能源汽車/充電樁、光伏發電、智能電網、軌道交通、航空航天等領域。氮化鎵作為寬禁帶半導體的“門面”之一，隨著技術的不斷升級，性能被進一步開發，開始強勢“破圈”，不再局限于快充等消費電子市場，而是向新能源汽車、數據中心、可再生能源等高速發展的熱門領域持續推進。數據顯示，2022年全球氮化鎵功率器件市場規模為1.8億美元，到2026年將有望達13.3億美元，年均復合增長率達65%。

第三代半導體寫入“十四五”規劃后，市場上對該半導體的需求和要求越來越高，市場規模將持續穩定升高，行業也將在市場的催化下迭代升級，產品性能功能也將不斷完善。未來，在市場規模趨勢方面，我國第三代半導體行業將持續保持高速增長;在細分產品發展趨勢方面，SiC需求將會增長，GaN應用場景將進一步拓展;在技術發展趨勢方面，大尺寸Si基GaN外延等問題將會有所進展。

半導體在線分別于2022年8月、2023年3月在蘇州組織了第一屆和第二屆第三代半導體會議，與會人員累計超過1500人，并得到了與會者的一致好評。為了促進第三代半導體材料領域的相互交流與合作，半導體在線將于2024年3月28日-29日（27日簽到）在蘇州組織召開2024年第三屆第三代半導體材料技術與市場研討會，旨在提供協同創新的高質量交流平臺，推動國內第三代半導體材料的學術研究、技術進步和產業發展。